N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，130A，2.4mΩ

这款 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 Power Trench®工艺生产，该工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 •最大 rDS(on) = 2.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 25 A 时）\n•最大 rDS(on) = 3.2 mΩ（VGS = 8 V、ID = 22 A 时）\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 rDS(on)和高效率\n•MSL1 耐用封装设计\n•100%经过UIL测试\n•符合 RoHS 标准;

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，198A，2.4mΩ

这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆的高级 PowerTrench® 工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能而量身定制。 • 扩展额定 TJ 至 175°C\n• 最大值 rDS(on) = 2.4 mΩ（VGS = 10 V、ID = 25 A）\n• 最大值 rDS(on) = 3.2 mΩ（VGS = 8 V、ID = 22 A）\n• 低 rDS(on)和高效的先进硅封装\n• MSL1 耐用封装设计\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准\";

Bayonet coupling mechanism provides quick

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