N 沟道屏蔽门极 Power Trench® MOSFET 80V，48A，6.5mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 Power Trench®工艺制造而成，该工艺集成了屏蔽栅极技术。 该工艺经优化，适用通态电阻优化，却仍保持卓越的开关性能。 • • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n•rDS(on)最大值 = 6.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 14 A）\n•rDS(on)最大值 = 8.5 mΩ（VGS = 8 V、ID = 12 A）\n• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)\n•终端为无铅产品\n• 符合 RoHS 标准;

N-Channel Shielded Gate Power Trench MOSFET 80 V, 48 A, 6.5 m廓

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N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，68A，6.5mΩ

N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺经优化以减小导通电阻，却仍保持卓越的开关性能。 • 屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ（VGS = 10 V、ID = 14 A）\n• 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ（VGS = 8 V, ID = 12 A时）\n• 高性能技术可实现极低的 rDS(on)\n•终端为无铅产品\n• 符合 RoHS 标准\";