P 沟道，Power Trench® MOSFET，-150V，-9A，160mΩ

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 • 最大 rDS(on) = 160 mΩ（VGS = -10 V、ID = -2.4 A 时）\n• 最大 rDS(on) = 185 mΩ（VGS = -6 V、ID = -2.2 A 时）\n• 中压 P 沟道硅技术的 RDS-on 极低，非常适用于 Qg 较低的情况\n• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合\n• 100% 经过 UIL 测试\n• 符合 RoHS 标准;

P-Channel PowerTrench MOSFET -150 V, -9 A, 160 m

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