N 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，88A，2.7mΩ

该器件专为提高 DC/DC 转换器的效率而设计。 使用MOSFET结构的新技术，栅极电荷和电容的各种元件经优化以降低开关损耗。 低栅极电阻和极低的米勒电荷兼具自适应和固定死区时间栅极驱动电路的卓越性能。 保持了极低的 rDS(on)以提供子逻辑电平器件。 •最大值 rDS(on) = 2.7 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 23 A 时）\n•最大值 rDS(on) = 4.7 mΩ（VGS = 2.5 V, ID = 17.5 A 时）\n•高性能技术可实现极低的rDS(on)\n•终端为无铅产品\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

N-Channel Power Trench MOSFET 30 V, 88 A, 2.7 m

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28 (7/36) AWG Tinned Copper

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