位置：首页 > IC中文资料第4442页 > FDH633605
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FDH633605 | 封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向 包装：卷带（TR） 描述：MOSFET N-CH DO-35 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
FDH633605 | MOSFET N-CH DO-35 | ONSEMI 安森美半导体 | |
FDH633605产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDH633605
- 功能描述
MOSFET Diode
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-30 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
DO35 |
7350 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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onsemi |
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DO-35 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
2020-4-23
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