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FDFMA3N109价格

参考价格:¥1.4725

型号:FDFMA3N109 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有FDFMA3N109多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDFMA3N109批发/采购报价,FDFMA3N109行情走势销售排行榜,FDFMA3N109报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDFMA3N109

30V Integrated N-Channel PowerTrench®MOSFET and Schottky Diode

该器件特别设计为一个单封装解决方案,适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。 该器件具有一个低输入电容的MOSFET、完整的栅极电荷、导通电阻以及一个独立连接的肖特基二极管。此肖特基二极管具有低正向电压和反向漏电流,以尽可能提高升压效率。 MicroFET 2x2封装以其紧凑的尺寸提供了卓越的热性能,非常适用于开关和线性模式应用。 •RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V\n• RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V\n•RDS(ON) = 163 mΩ(VGS = 2.5V时)肖特基二极管:\n•VF < 0.46 V (500mA)\n•薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封装\n•HBM ESD保护电平 = 1.8kV典型值 (注3)\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

FDFMA3N109

Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

文件:123.8 Kbytes Page:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

Integrated N-Channel PowerTrench짰 MOSFET and Schottky Diode

文件:689.77 Kbytes Page:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDFMA3N109产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    with Schottky Diode

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    12

  • VGS(th) Max (V):

    1.5

  • ID Max (A):

    2.9

  • PD Max (W):

    1.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    163

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    123

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    2.4

  • Ciss Typ (pF):

    190

  • Package Type:

    WDFN-6

更新时间:2026-7-29 18:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCH
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