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FDD9410L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =4.2mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conv

ISC

无锡固电

FDD9410L

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON)

Bychip

百域芯

40V N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

High Perform Instr, 1 Pr #16 Str TC, PVC Ins E2, PVC Jkt, PLTC

Product Description High Performance Instrumentation, 1 Pair 16AWG (19x29) Tinned Copper, PVC Insulation E2 Color Code, PVC Outer Jacket, PLTC

BELDEN

百通

MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32

文件:130.87 Kbytes Page:1 Pages

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件:1.0163 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

6-32 BINDING HEAD SCREW

文件:248.52 Kbytes Page:1 Pages

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

Couplings

文件:54.39 Kbytes Page:1 Pages

PF

倍加福

更新时间:2025-10-28 11:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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