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FDD86581

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 15mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FDD86581

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

Bychip

BERGSTIK II HEADER D/R 100/2.52cc STRAIGHT

文件:664.8 Kbytes Page:8 Pages

FCI-CONNECTOR

FCI connector

FCI-CONNECTOR
更新时间:2025-8-5 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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