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FDD86567

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.2mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

FDD86567

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

Bychip

百域芯

Primary Switch for 12V Systems

文件:400.25 Kbytes Page:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-28 9:38:00
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