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FDD86381

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 21mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,80 V,25 A,21 mΩ

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET 80/20V 1000A N-chnl PowerTrench MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-10-27 23:00:00
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