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FDD86367

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.2mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

FDD86367

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 80 V, ID= 95A RDS(ON)

Bychip

百域芯

FDD86367

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80 V,100 A,4.2 mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FDD86367

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:996.89 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Automotive Engine Control

文件:340.92 Kbytes Page:6 Pages

Fairchild

仙童半导体

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 80V,100A,4.2 mΩ,

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-28 11:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
TO-252
15000
原装原标原盒 给价就出 全网最低
ON(安森美)
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D-PAK
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ON(安森美)
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标准封装
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DPAK-3TO-252-3
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1983
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DPAK-3 / TO-252-3
25000
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23+
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FAIRCHILD/仙童
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货

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