型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FDD7N25LZTM

N-Channel UniFET MOSFET

文件:329.12 Kbytes Page:8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 250V RDSON (MAX.) 1.7Ω ID 3.0A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 250V RDSON (MAX.) 1.7Ω ID 3.0A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 250V RDSON (MAX.) 1.7Ω ID 0.4A Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

N-Channel MOSFET 250V, 6.2A, 0.55(ohm)

文件:925.67 Kbytes Page:6 Pages

MGCHIP

FDD7N25LZTM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD7N25LZTM

  • 功能描述

    MOSFET 250V N-Channel MOSFET, UniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-10 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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