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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET25V,4.0m廓

文件:316.15 Kbytes Page:6 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

SteckbareAnschlussklemmenaufStiftleisten,Raster5,08mm

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LUMBERGLumberg

隆堡隆堡(Lumberg)

LUMBERG

Pluggableterminalblocksonpinheaders,pitch5.08mm

文件:336.43 Kbytes Page:4 Pages

LUMBERGLumberg

隆堡隆堡(Lumberg)

LUMBERG

HighPerformanceSiliconNPNPhototransistorinSideLookPackage

文件:180.67 Kbytes Page:4 Pages

AVAGOAvago

安华高安华高科技

AVAGO
更新时间:2024-6-21 20:06:01
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