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FDD5614P价格
参考价格：￥1.2176
型号：FDD5614P 品牌：Fairchild 备注：这里有FDD5614P多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDD5614P批发/采购报价，FDD5614P行情走势销售排行榜，FDD5614P报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FDD5614P | 60V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. Applications Features • –15 A, –60 V. RDS(ON)= 100 mΩ@ VGS= –10 V RDS(ON)= 130 mΩ@ VGS= –4.5 V • Fast swi | Fairchild 仙童半导体 |   | |
FDD5614P | P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -60V, ID= -20A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | | |
FDD5614P | 60V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications. Applications • DC/DC converter • Power management • Load switch Features • –15 A, –60 V. RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = –10 V RDS(ON) = 130 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FDD5614P | 60V，P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-15A，100mΩ | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FDD5614P | isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：310.15 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
FDD5614P | 60V P-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：106.43 Kbytes Page：6 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | |
FDD5614P | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：990.06 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
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Bi-color ?5 Round Shape Type 文件：305.76 Kbytes Page：18 Pages | Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD. | | ||
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FDD5614P产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD5614P
- 功能描述
MOSFET 60V P-Ch PowerTrench
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ONSEMI/安森美 |
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