FDD2570价格

参考价格:¥3.2500

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDD2570

150V N-Channel PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Features • 4.7 A, 150 V. RDS(ON) = 80 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = 6 V • Low gate charge

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD2570

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=4.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =80mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

FDD2570

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 150V, ID= 20 A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

FDD2570

150V N-Channel PowerTrench MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

IEC Appliance Inlet C8, Solder, PCB or Quick-connect Terminal

文件:385.26 Kbytes Page:5 Pages

SCHURTER

硕特

IEC Appliance Inlet C8, Solder, PCB or Quick-connect Terminal

文件:399.04 Kbytes Page:5 Pages

SCHURTER

硕特

Crystal Clock Oscillator

文件:85.87 Kbytes Page:1 Pages

NDK

金属工业

Crystal Clock Oscillator

文件:85.87 Kbytes Page:1 Pages

NDK

金属工业

C/A-2570X 0.7INCH, 5 X 7 DOT MATRIX DISPLAY

文件:92.16 Kbytes Page:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

FDD2570产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD2570

  • 功能描述

    MOSFET 150V NCh PowerTrench

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 10:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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