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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDD044AN03L

N-Channel PowerTrench MOSFET

Features • rDS(ON) = 3.6mΩ (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 35A • Qg(5) = 48nC (Typ.), VGS = 5V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • 12V Automotive Load Control • Starter / Alternator Systems • Electr

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD044AN03L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=21A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =3.9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

FDD044AN03L

N-channel Advanced Mode Power MOSFET

Features  VDS= 40V, ID= 150A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

FDD044AN03L

MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench MOSFET

Features • rDS(ON) = 3.6mΩ (Typ.), VGS = 4.5V, ID = 35A • Qg(5) = 48nC (Typ.), VGS = 5V • Low Miller Charge • Low QRR Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • 12V Automotive Load Control • Starter / Alternator Systems • Electr

FAIRCHILD

仙童半导体

FDD044AN03L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD044AN03L

  • 功能描述

    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-14 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
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