双 N 和 P 沟道数字 FET，25V

这些双N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件专为低压应用而设计，旨在作为负载开关应用中双极性数字晶体管的替代品。 由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。 •N-Ch 25 V，0.22 A，RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V。\n•P-Ch 25 V，-0.12 A，RDS(ON) = 13 Ω @ VGS= -2.7 V。\n•非常低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行。 VGS(th) < 1.5 V。\n•栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。\n•替代NPN & PNP数字晶体管。;

Dual N & P Channel , Digital FET

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Dual N & P Channel Digital FET

General Description These dual N & P-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designe

Marktech 2.00 5x7 Bi−Color 20−Pin Dot Matrix

FEATURES ◾ 2.0 5x7 dot matrix display ◾ Grey surface/white epoxy color

Sound fader control circuit

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