FDC6301N 印字301 SOT23-6 双N沟道场效应管

时间:2022-2-21 9:22:00

FDC6301N

深圳市宗天技术开发有限公司 公司经销Infineon,IR,FAIRCHILD,ST,FUJI,TOSHIBA,SANYO等国际**品牌,

专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,

主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、

UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SSOT-6

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 220 mA

Rds On-漏源导通电阻: 3.8 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 500 mV, + 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 490 pC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 900 mW

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

下降时间: 4.5 ns

正向跨导 - 最小值: 0.25 S

高度: 1.1 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.5 ns

系列: FDC6301N

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel

类型: FET

典型关闭延迟时间: 4 ns

典型接通延迟时间: 5 ns

宽度: 1.6 mm

零件号别名: FDC6301N_NL

单位重量: 36 mg