FDC6318P价格

参考价格:¥0.6420

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDC6318P

Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET

Features Vps =-20V,Ip =-3A Ros(on) =120m Q @ Ves=-2.5V (Typ) Rosion) =85m Q @ Ves=-4.5V (Typ) High Power and current handing capability Lead free product is acquired Surface Mount Package

TECHPUBLIC

台舟电子

FDC6318P

双 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,1.8V 指定,-12V,-2.5A,90mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FDC6318P

Dual P-Channel 1.8V PowerTrench Specified MOSFET

文件:165.22 Kbytes Page:5 Pages

Fairchild

仙童半导体

Component 1 4 X 1 PAIR

文件:76.43 Kbytes Page:2 Pages

ALPHAWIRE

438 PCB Barrier Terminal Strip, 600V

文件:64.8 Kbytes Page:2 Pages

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未分类制造商

Ball bearing

文件:111.27 Kbytes Page:1 Pages

EBMPAPST

依必安派特

438 PCB Barrier Terminal Strip, 600V

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

438 PCB Barrier Terminal Strip, 600V

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未分类制造商

FDC6318P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDC6318P

  • 功能描述

    MOSFET SuperSOT-3

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-25 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
TSOP-6
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ON/安森美
24+
SOT23-6
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