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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=129mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC- | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
N-ChannelMOSFET 文件：314.18 Kbytes Page：8 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
N-ChannelMOSFET 文件：314.18 Kbytes Page：8 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
HiPerFASTIGBT Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •NewestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptibl | IXYS IXYS Corporation |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
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TO263 |
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ON(安森美) |
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