FDB28N30T价格

参考价格:¥6.2711

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=28A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=129mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION

Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-ChannelMOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HiPerFASTIGBT

Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •NewestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers •Uninterruptibl

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

FDB28N30T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDB28N30T

  • 功能描述

    MOSFET 300V N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-5 11:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-263
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