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FDB0690N1507L

N-ChannelPowerTrench®MOSFET

Features „MaxrDS(on)=6.9mΩatVGS=10V,ID=17A „FastSwitchingSpeed „LowGateCharge „HighPerformanceTrenchTechnologyforExtremelyLow RDS(on) „HighPowerandCurrentHandlingCapability „RoHSCompliant GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingON

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-5-19 11:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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晶体管-分立半导体产品-原装正品
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