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FDB047N10价格

参考价格：￥11.5090

型号：FDB047N10 品牌：FAIRCHILD 备注：这里有FDB047N10多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDB047N10批发/采购报价，FDB047N10行情走势销售排行榜，FDB047N10报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDB047N10

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，164A，4.7mΩ

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 3.9mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDB047N10

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 164A, 4.7m廓

文件：546.28 Kbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDB047N10_12

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 164A, 4.7mW

文件：1.02923 Mbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDP047N10

N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 164A, 4.7mOHM

General Description This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Description • RDS(on) = 3.9mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A

FAIRCHILD

仙童半导体

FDP047N10

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：327.89 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

FDP047N10

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 164A, 4.7mW

文件：1.00866 Mbytes Page：8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDB047N10产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    100

  • VGS Max (V)：

    ±20

  • VGS(th) Max (V)：

    4.5

  • ID Max (A)：

    164

  • PD Max (W)：

    375

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    4.7

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    160

  • Ciss Typ (pF)：

    11500

  • Package Type：

    D2PAK-3/TO-263-2

FDB047N10供应商更多...

更新时间：2026-5-14 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
FDB047N10
ONSEMI
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26800
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深圳市祥瑞智科技有限公司
FDB047N10
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