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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 80V, 38A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 80V, 38A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

更新时间:2025-10-31 17:43:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CET/華瑞
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
CET/华瑞
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