FDA032N08价格

参考价格:¥13.2432

型号:FDA032N08 品牌:Fairchild 备注:这里有FDA032N08多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDA032N08批发/采购报价,FDA032N08行情走势销售排行榜,FDA032N08报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDA032N08

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID=120A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 75V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor Drive, DC-DC Converter, Power Switch and Solenoid Drive.

ISC

无锡固电

FDA032N08

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 75V,235A,3.2mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FDA032N08

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 75V, 235A, 3.2m廓

文件:552.79 Kbytes Page:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=235A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.2mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 75V, 235A, 3.2m廓

文件:624.32 Kbytes Page:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel MOSFET

文件:1.87092 Mbytes Page:7 Pages

KERSEMI

FDA032N08产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDA032N08

  • 功能描述

    MOSFET PT3 75V 3.2mohm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
2026+
TO-3P
8670
原装正品,假一罚十!
ONSEMI
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ON/安森美
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ON/安森美
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