(non-RoHS) Frequency Doubler

The FD25 is a passive bridge diode frequency doubler, designed for use in military, commercial and test equipment applications. The design utilizes Schottky bridge quad diodes and broadband soft dielectric and/or ferrite baluns to attain excellent performance. The use of high temperature solder ·Input 5 to 2400 MHz\n·Hermetically-Sealed Package\n·Input Drive level +10 dBm (Nominal)\n·Output 10 to 4800 MHz\n;

封装/外壳：TO-8 形式，4 引线 功能：二倍频器 包装：管件 描述：DOUBLER,FREQUENCY RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块

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650V半桥栅极驱动器

  FD2501是一个高电压、高速栅极驱动器，能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD2501逻辑输入兼容TTL和CMOS（低至3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。 ·悬浮绝对电压+650V\n·电源电压范围10V ~20V\n·dv/dt抑制\n·输出电流+3A/-0.6A\n·3.3V/5V/15V输入逻辑兼容\n·欠压保护（UVLO）\n·高低端通道匹配\n·输出与输入同相\n·VCC/VBS内置钳位\n·;

半桥栅极驱动器

FD2504S是一个高电压、高速栅极驱动器，能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。\n\nFD2504S逻辑输入兼容TTL和CMOS（低至3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。\n\nFD2504S内置直通防止和死区时间，防止被驱动的高低侧的MOSFET或IGBT直通，有效保护功率器件。\n\nFD2504S集成使能关断功能，能同时关断高低通道HO、LO输出。 • 悬浮绝对电压+600V\n• 3.3V/5V/15V输入逻辑兼容\n• 高侧输出与输入同相，低侧输出与输入反相\n• 内置死区时间\n• VCC/VBS内置钳位\n封装：SOP8;

Highly insulated module with Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode

Features • Electrical features - VCES = 6500 V - IC nom = 250 A / ICRM = 500 A - Low VCE,sat • Mechanical features - AlSiC base plate for increased thermal cycling capability - Extended storage temperature down to Tstg = -55 °C - High creepage and clearance distances - Package with enhanc

封装/外壳：4-SMD，无引线 包装：散装 描述：XTAL OSC XO SMD 晶体，振荡器，谐振器 振荡器

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