位置：首页 > IC中文资料第765页 > FD1200R12IE4_B1_S1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INFINEON | ETC |   | ||
IR | ETC | | ||
IR | ETC | | ||
IR | ETC | | ||
IR | ETC | | ||
IR | ETC | | ||
IR | ETC | | ||
IR | ETC | |
FD1200R12IE4_B1_S1产品属性
- 类型
描述
- 型号
FD1200R12IE4_B1_S1
- 功能描述
IGBT 模块
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-12-16 23:00:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
AGIHMB1301 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
AG-IHMB130-1 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
德国英飞凌 |
2021+ |
IGBT 模块 |
1000 |
只做原装，可提供样品 |
|||
INFINEON |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
|||
INFINEON |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-IHMB130-1 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
AG-IHMB130-1 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
Infineon |
2526+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273687邹小姐 |
|||
Infineon |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
FD1200R12IE4_B1_S1芯片相关品牌
FD1200R12IE4_B1_S1规格书下载地址
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优势渠道
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FD6636 FORTIOR 批号21年现货库存开票
2021-2-1FCU10B60
FCU10B60，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-15
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