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FCP220N80

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.22Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

FCP220N80

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,800 V,23 A,220 mΩ,TO-220

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-27 17:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
25+
TO220
2650
原装优势!绝对公司现货
Fairchild/ON
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
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TO-220
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