| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FCH30E10 | Schottky Barrier Diode 文件：4.51323 Mbytes Page：7 Pages | KSS 京瓷 |   | |
FCH30E10 | 肖特基势垒二极管(SBD)-肖特基势垒二极管(SBD) | KSS 京瓷 | | |
分立式半导体 肖特基势垒二极管（SBD） Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between semiconductor materials and metal electrodes, e.g., Schottky barrier. They have lower forward voltage (VF) characteristics and shorter reverse recovery time (trr) than typical PN junction diodes, making ・Low leakage current\n・High frequency operation \n・Epoxy Resin (UL94V-0 recognized); | KSS 京瓷 | | ||
Fast Recovery Epitaxial Diode Module 文件：120.85 Kbytes Page：1 Pages | MEDER | | ||
Fast Recovery Epitaxial Diode Module 文件：124 Kbytes Page：1 Pages | MEDER | | ||
Electrically Isolated Back Surface Single MOSFET Die 文件：125.65 Kbytes Page：1 Pages | MEDER | |
FCH30E10产品属性
- 类型
描述
- VRRM [V]：
100V
- Io [A]：
30.0A
- IFSM [A]：
250.0A
- IR [mA]：
0.100mA
- VFM [V]：
0.80V
- @IFM [A]：
15.0A
- 工作温度范围：
-40℃ ~ 150℃
- Rth(j-c) [°C/W]：
1.50°C/W
- Connection type：
E
- 质量：
1.750g
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NIEC |
24+ |
TO-220F |
8866 |
||||
NIEC |
17+ |
TO-220F |
6200 |
||||
NIEC |
26+ |
SOT-23 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
NIEC |
2447 |
TO-220F |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
NIEC英达 |
20+ |
TO220F-3 |
38560 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
NIEC英达 |
13+ |
TO220F-3 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
NIEC英达 |
2023+ |
TO220F-3 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
NIEC/英达 |
26+ |
TO-220F |
43600 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
NIEC英达 |
23+ |
TO220F-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NEC |
23+ |
TO-220F |
45000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
FCH30E10规格书下载地址
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2021-10-20FCI连接器10120667-301LF原装现货
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2019-12-11FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述 它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。 特点 •UL认证No.E209204（SPM27- BA的包） •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15
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