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芯片资料

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FCH30B10	SchottkyBarrierDiode 文件：61.73 Kbytes Page：6 Pages	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation
FCH30B10_15	SBD 文件：144.38 Kbytes Page：1 Pages	NI National Instruments Inc.
P30B10EL	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=30mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
P30B10EL	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology 文件：862.08 Kbytes Page：4 Pages	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
P30B10EL	PowerMOSFET 文件：169.85 Kbytes Page：4 Pages	SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd 日本新电元工业株式会社
TCH30B10	SchottkyBarrierDiode 文件：144.07 Kbytes Page：1 Pages	NIEC Nihon Inter Electronics Corporation

FCH30B10供应商更多...

更新时间：2025-6-26 16:30:00

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2024-2-26
FCB110N65F ;TO263正品货源供应商报价中文资料。
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2021-10-20
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2019-12-11
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2019-12-11
FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点•UL认证No.E209204（SPM27-BA的包）•500伏-5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15