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FCH20N60	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET™is,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyhasbeentailoredtominimizeconductionloss,provi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCH20N60	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FCH20N60	600VN-ChannelMOSFET 文件：775.46 Kbytes Page：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCH20N60	600VN-ChannelMOSFET 文件：790.22 Kbytes Page：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCH20N60_06	600VN-ChannelMOSFET 文件：775.46 Kbytes Page：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FCH20N60_07	600VN-ChannelMOSFET 文件：790.22 Kbytes Page：10 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
20N60	20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
20N60B	HiPerFASTIGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
20N60	FastSwitching 文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
20N60	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET 文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
20N60A	20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor 文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司

FCH20N60产品属性

类型
描述
型号
FCH20N60
功能描述
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-6-22 11:48:00

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深圳市正迈科技有限公司	FCH20N60	FSC/ON	23+	原包装原封 □□	3824	原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询库存	询价
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2021-10-20
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2019-12-11
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FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点•UL认证No.E209204（SPM27-BA的包）•500伏-5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15

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