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芯片资料

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型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
FCH08A15	Schottky Barrier Diode 文件：783.52 Kbytes Page：7 Pages	KSS 京瓷	KSS
FCH08A15	SBD 文件：148.23 Kbytes Page：1 Pages	NIEC	NIEC
FCH08A15	肖特基势垒二极管(SBD)-肖特基势垒二极管(SBD)	KSS 京瓷	KSS
FCH08A15_15	SBD 文件：148.23 Kbytes Page：1 Pages	NI 恩艾	NI
F08A15	FAST RECOVERY RECTIFIERS(8A,50-20V)	MOSPEC 统懋	MOSPEC
F08A15PT	FAST RECOVERY RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 - 600 Volts CURRENT 8 Amperes FEATURES * Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 * Dual rectifier construction, positive centertap * Glass passivated chip junctions * Low power loss * Low forward voltage, high current capability * High	CHENMKO 力勤	CHENMKO
FRH08A15	Schottky Barrier diode FEATURES * Similar to TO-220AB Case * Fully Molded Isolation * Dual Diodes – Anode Common * High Voltage Low Leakage Current * Low Forward Voltage Drop * Low Power Loss,High Efficiency * High Surge Capability * Tj=150 °C operation	NIEC	NIEC
H08A15	POWER RECTIFIERS(8A,50-200V) High Efficiency Recovery Rectifier Diodes HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS 8 AMPERES 50 -- 200 VOLTS	MOSPEC 统懋	MOSPEC
U08A15	POWER RECTIFIERS(8A,50-200V) Ultra Fast Recovery Rectifier Diodes	MOSPEC 统懋	MOSPEC

FCH08A15供应商更多...

更新时间：2026-5-20 12:04:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	FCH023N65S3	ON/安森美	26+	TO-247(AC)	10000	十年沉淀唯有原装	询价
深圳市勤思达科技有限公司	FCH023N65S3	FSC	24+	original	5000	全新原装正品,现货销售	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	FCH023N65S3	onsemi(安森美)	25+	TO-247AC-3	18798	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
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深圳市美思瑞电子科技有限公司	FCH023N65S3	FAIRCHILD/仙童	22+	TO247-3	12245	现货,原厂原装假一罚十!	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	FCH023N65S3	FAIRCHILD/仙童	2450+	TO247	9850	只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!	询价
深圳市禾兴威科技有限公司	FCH023N65S3	Fairchild	23+	NA	6800	原装正品,力挺实单	询价
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深圳市宇创芯科技有限公司	FCH021N65S3AL4	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-3P	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价

FCD850N80Z
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2024-2-26
FCB110N65F ;TO263正品货源供应商报价中文资料。
技术课程，原装现货买卖，资料详情
2021-10-20
FCI连接器10120667-301LF原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380 。电话：0755-83226739 Q Q:626839837。微信号：15096137729
2019-12-11
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2019-12-11
FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点 •UL认证No.E209204（SPM27- BA的包） •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15