N-Channel SuperFET짰 II FRFET짰 MOSFET

Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide s

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 76A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 41mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® II，FRFET®，650 V，76 A，41 mΩ，TO-247

SuperFET® II MOSFET 是 Fairchild 全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列产品，运用电荷平衡技术，可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。 该技术专为最大程度地减少导通损耗，提供较高的开关性能、dv/dt 速率和较高的雪崩能量而设计。 因此，SuperFET MOSFET 非常适合开关电源应用，如功率因数校正 (PFC)、服务器/电信电源、FPD 电视电源、ATX 电源及工业电源应用。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件并提高系统可靠性。 •700 V @ TJ = 150°C\n•典型值 RDS(on) = 36 mΩ\n•超低栅极电荷（典型值 Qg = 226 nC)\n•低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 843 pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准;

N 沟道 SuperFET II™ FRFET MOSFET 650V，76A，34mΩ

SuperFET® II MOSFET 是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结 (SJ) MOSFET 系列产品。 这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt 额定值和更高雪崩能量。 因此 SuperFETII 非常适合软开关和硬开关拓扑，如高电压全桥和半桥 DC-DC、交错式 PFC 升压、HEV-EV 汽车 PFC 升压。 SuperFET II FRFET® MOSFET 优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。 • 典型值 RDS(on) = 34 mΩ（VGS = 10 V、ID = 38 A）\n• 典型值 Qg(tot) = 234 nC（VGS = 10 V、ID = 38 A）\n• UIS 能力\n• 符合 AEC Q101 标准\n• 符合RoHS标准;

丝印代码：GC041N65F；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The GC041N65QF uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters