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NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR CHIP

Description ▪ NPN epitaxial silicon RF transistor for microwave low-noise amplification Features ▪ Low noise and high gain bandwidth product ▪ High power gain Applications ▪ UHF / VHF wide band amplifier

BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD.

上海贝岭上海贝岭股份有限公司

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. FEATURES • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz

NEC

瑞萨

Nylon Cable Clamps

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HeycoHeyco.

海科

Heyco짰 Nylon Cable Clamps

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Designing an application board compatible with either

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-8-9 23:01:01
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