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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4805 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features VDS = -30V,ID = - 8.0A RDS(ON)typ 17mΩ @ VGS= -10V

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更新时间:2025-12-28 9:48:01
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