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HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE

HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE ●VDSS................................................................................900V ●rDS(ON)(MAX)..............................................................0.85Ω ●ID.......................................................................................

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

NchPOWERMOSFETHIGH-SPEEDSWITCHINGUSE

HIGH-SPEEDSWITCHINGUSE ●VDSS................................................................................900V ●rDS(ON)(MAX)..............................................................0.85Ω ●ID.......................................................................................

POWEREX

Powerex Power Semiconductors

POWEREX

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.85Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-8-4 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MIT
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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原装正品,假一罚十

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