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EasyPACK??module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC

Features • Electrical features - VCES = 650 V - IC nom = 150 A / ICRM = 300 A - Increased blocking voltage capability up to 650 V - Low inductive design - Low switching losses - Low VCE,sat • Mechanical features - Al2O3 substrate with low thermal resistance - Compact design - PressFIT c

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英飞凌

EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC

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Infineon

英飞凌

EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC

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Infineon

英飞凌

650 V、150 A 三电平 IGBT 模块

Infineon

英飞凌

EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC

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Infineon

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封装/外壳:模块 包装:管件 描述:IGBT MOD 650V 150A 335W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

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650 V、150 A 三电平 IGBT 模块

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包装:托盘 描述:LOW POWER EASY AG-EASY2B-411 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块

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F3L150R07W2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F3L150R07W2

  • 功能描述

    IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 150A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-12-30 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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