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位置：首页 > IC中文资料第1734页 > F22

F22价格

参考价格：￥1401.0070

型号：F2211/16-BK001 品牌：Alpha Wire 备注：这里有F22多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，F22批发/采购报价，F22行情走势销售排行榜，F22报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
F22

16-Bit General Purpose Microcontrollers with 256-Kbyte Flash and 16-Kbyte RAM in Low Pin Count Packages

AnalogFeatures •Upto14-Channel,SoftwareSelectable, 10/12-BitAnalog-to-DigitalConverter: -12-bit,200Ksamples/secondconversionrate (singleSample-and-Hold) -Sleepmodeoperation -ChargepumpforoperatingatlowerAVDD -Bandgapreferenceinputfeature -Windowedthresholdco

MicrochipMicrochip Technology Inc.

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip
F2201

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers.

Polyfet

POLYFET

Polyfet
F2201

SAW Bandpass Filter

Features ●RFbandpassfilter ●Highattenuation ●Usablebandwidth1MHz ●Nomatching50Ωsingle-endedoperation ●CeramicSurfaceMountedDevice(SMD)Package

ITFIntegrated Technology Future

Integrated Technology Future

ITF
F2201S

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers.

Polyfet

POLYFET

Polyfet
F2202

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime

Polyfet

POLYFET

Polyfet
F2202

SAW Bandpass Filter

Features ●RFbandpassfilter ●Usablebandwidth0.6MHz ●Nomatchingsingle-endedoperation ●CeramicSurfaceMountedDevicePackage(5.0mm×5.0mm)

ITFIntegrated Technology Future

Integrated Technology Future

ITF
F2211

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfet™processfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetim

Polyfet

POLYFET

Polyfet
F2212

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime

Polyfet

POLYFET

Polyfet
F2213

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime

Polyfet

POLYFET

Polyfet
F2246

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime

Polyfet

POLYFET

Polyfet
F2247

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios, CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfet™processfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifeti

Polyfet

POLYFET

Polyfet
F2248

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime

Polyfet

POLYFET

Polyfet
F2250

Voltage Variable RF Attenuator 1MHz to 3000MHz

GENERALDESCRIPTION TheF2255isalowinsertionlossVoltageVariableRF Attenuator(VVA)designedforamultitudeofwireless andotherRFapplications.Thisdevicecoversabroad frequencyrangefrom1MHzto3000MHz.Inaddition toprovidinglowinsertionloss,theF2255provides excellen

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
F2255

Voltage Variable RF Attenuator 1MHz to 3000MHz

GENERALDESCRIPTION TheF2255isalowinsertionlossVoltageVariableRF Attenuator(VVA)designedforamultitudeofwireless andotherRFapplications.Thisdevicecoversabroad frequencyrangefrom1MHzto3000MHz.Inaddition toprovidinglowinsertionloss,theF2255provides excellen

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
F2258

Voltage Variable RF Attenuator 1MHz to 3000MHz

GENERALDESCRIPTION TheF2255isalowinsertionlossVoltageVariableRF Attenuator(VVA)designedforamultitudeofwireless andotherRFapplications.Thisdevicecoversabroad frequencyrangefrom1MHzto3000MHz.Inaddition toprovidinglowinsertionloss,theF2255provides excellen

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
F22-009-210-AGGE

SD Memory Card Connectors

文件：192.87 Kbytes Page：2 Pages

MITSUMIMITSUMI ELECTRIC CO.,LTD.

美上美三美电机株式会社

MITSUMI
F2200CA01

包装：散装 描述：PWR ENT RCPT IEC320-C14 PANEL QC 连接器，互连器件 电源接入模块（PEM）

Curtis IndustriesCurtis Industries

Curtis IndustriesCurtis Industries公司

Curtis Industries
F2200CA01

包装：散装 描述：PWR ENT RCPT IEC320-C14 PANEL QC 连接器，互连器件 电源接入进线、出线、模块

Curtis IndustriesCurtis Industries

Curtis IndustriesCurtis Industries公司

Curtis Industries
F2202S

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER

文件：35.61 Kbytes Page：2 Pages

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2
F2204

SAW Bandpass Filter F2204

文件：248.49 Kbytes Page：7 Pages

ITFIntegrated Technology Future

Integrated Technology Future

ITF
F221K33Y5RR6.K7

Ceramic Disc Capacitors Class 2, Low Loss (0.2 ), 500 VDC, 1 kVDC, 2 kVDC and 3 kVDC

文件：420.42 Kbytes Page：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
F221K33Y5RR6.K7.

Ceramic Disc Capacitors Class 2, Low Loss (0.2 ), 500 VDC, 1 kVDC, 2 kVDC and 3 kVDC

文件：420.42 Kbytes Page：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
F2223-21SH

MCP ASSEMBLY

文件：110.67 Kbytes Page：2 Pages

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

HAMAMATSU
F222K69Y5RP63K7.

Ceramic Disc Capacitors Class 2, Low Loss (0.2 ), 500 VDC, 1 kVDC, 2 kVDC and 3 kVDC

文件：420.42 Kbytes Page：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
F222K75Y5RR83K0

Ceramic Disc Capacitors Class 2, Low Loss (0.2 ), 500 VDC, 1 kVDC, 2 kVDC and 3 kVDC

文件：420.42 Kbytes Page：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
F222K75Y5RR83K0.

Ceramic Disc Capacitors Class 2, Low Loss (0.2 ), 500 VDC, 1 kVDC, 2 kVDC and 3 kVDC

文件：420.42 Kbytes Page：7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
F2234

ATO Blade Fuse Rated 32V

文件：178.87 Kbytes Page：2 Pages

LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse
F2234-ND

ATO Blade Fuse Rated 32V

文件：178.87 Kbytes Page：2 Pages

LittelfuseLittelfuse Inc.

力特力特公司

Littelfuse
F2250

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.27992 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2250

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.12323 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2250

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.27992 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2250

Low Insertion Loss: 1.4dB @ 2000MHz 33.6dB Attenuation Range

文件：2.40303 Mbytes Page：25 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
F2250NLGI

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2250NLGI8

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2250NLGK

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.27992 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2250NLGK

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2250NLGK8

Low Insertion Loss: 1.4dB @ 2000MHz 33.6dB Attenuation Range

文件：2.40303 Mbytes Page：25 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
F2250NLGK8

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2251

Voltage Variable RF Attenuator 50MHz to 6000MHz

文件：2.33139 Mbytes Page：23 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
F2251EVB

Voltage Variable RF Attenuator 50MHz to 6000MHz

文件：2.33139 Mbytes Page：23 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
F2251NLGI

Voltage Variable RF Attenuator 50MHz to 6000MHz

文件：2.33139 Mbytes Page：23 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
F2251NLGI8

Voltage Variable RF Attenuator 50MHz to 6000MHz

文件：2.33139 Mbytes Page：23 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
F2255

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.27992 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2255

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.12323 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2255

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.27992 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2255NLGI

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2255NLGI8

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2255NLGK

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2255NLGK8

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2258

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.27992 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2258

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.12323 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2258

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.0891 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2258

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.27992 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2258EVKITREV02

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.0891 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2258NLGI

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2258NLGI8

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2258NLGK

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.0891 Mbytes Page：24 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2258NLGK

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
F2258NLGK

Voltage Variable RF Attenuator

文件：2.29087 Mbytes Page：25 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
F2258NLGK8

PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)

文件：94.15 Kbytes Page：3 Pages

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT

F22产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F22

  • 制造商

    Kaise

  • 功能描述

    Bulk

F22供应商更多...

更新时间：2024-5-11 20:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市明嘉莱科技有限公司
F223600
APTIV/安波福
22+
SMD
518000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市金芯世纪电子有限公司
F220
OEI
22+
SOT-89
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
深圳市威雅利发展有限公司
F226
OEI
18+
SOT-89
564
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
中天科工半导体（深圳）有限公司
F2218CTF24V
RENESAS
20+
TQFP
19570
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
深圳市华睿芯科技有限公司
F2238BFA13V
HITACHI
23+
QFP
20000
原厂原装正品现货
询价
瀚佳科技(深圳)有限公司
F2252TQ1
TI
21+
QFN
35200
一级代理/放心采购
询价
深圳市科芯源微电子有限公司
F222K75Y5RR83K0R
VISHAY/威世
24+
DIP
98000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
深圳市弘扬芯城科技有限公司
F2270NLGK
RENESAS(瑞萨)/IDT
23+
VFQFN16EP(3x3)
6000
询价
深圳市天芯威科技有限公司
F2218CTF24V
RENESAS/瑞萨
22+
TQFP
30000
原装正品
询价
深圳好佳好科技有限公司
F22H09614
N/A
1116+
PLCC
6869
绝对原装现货
询价

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    F280021PTSR

    2023-4-7

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    F280025CPNSR

    2021-8-5

  • F280023PTSR

    32-位微控制器-MCUC200032-bitMCUwith100MHz，FPU，TMU，64-KBflash

    2021-4-1

  • F1C500

    F1C500，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-16

  • F1C600

    F1C600，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-16

  • F1E200

    QFP-128

    2020-10-28

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