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F2102

Pushbutton Switches

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CK-COMPONENTS

力特

F2102

包装:散装 描述:SWITCH CAP 开关 配件 - 帽盖

ETC

知名厂家

Integrated Circuit NMOS, 1K Static RAM (SRAM), 350ns

Description: The NTE2101 is a high–speed 1024 x 1 bit static random access read/write memory in a 16–Lead DIP type package designed using N–Channel depletion mode silicon gate technology. Static storage cells eliminate the need for clock or refresh circuitry. Low threshold silicon gate N–Cha

NTE

SYSTEM RESET IC

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NJRC

日本无线

SYSTEM RESET IC

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NJRC

日本无线

SYSTEM RESET IC

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NJRC

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更新时间:2026-7-23 10:28:00
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