型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·motor drive, | ISC 无锡固电 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.85Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | |||
N-channel 950 V, 0.68 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3 文件:861.98 Kbytes Page:19 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |||
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IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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