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AO4443中文资料

厂家型号

AO4443

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1120.04Kbytes

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5

功能描述

-40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC

数据手册

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生产厂商

EVVOSEMI

AO4443数据手册规格书PDF详情

Description

The AO4443 uses advanced trench technology

to provide excellent RDS(ON), low gate charge and

operation with gate voltages as low as 2.5V. This

device is suitable for use as a

Battery protection or in other Switching application.

General Features

VDS = -40V ID = -8 A

RDS(ON) < 37mΩ @ VGS=10V

Application

Battery protection

Load switch

Uninterruptible power supply

AO4443产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4443

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-4 10:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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