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AO4442中文资料

厂家型号

AO4442

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4

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MOSFET N-CH 75V 3.1A 8SOIC

数据手册

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生产厂商

AOSMD

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General Description

The AO4442 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages from 4.5V to 25V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4442 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4442L is a Green Product ordering option. AO4442 and AO4442L are electrically identical.

Features

VDS (V) = 75V

ID = 3.1A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 130mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON)

AO4442产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    AO4442

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 75V 3.1A 8SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-20 16:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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