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EFA120D-SOT89中文资料

厂家型号

EFA120D-SOT89

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2

功能描述

Low Distortion GaAs Power FET

数据手册

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简称

ETC

生产厂商

List of Unclassifed Manufacturers

中文名称

未分类制造商官网

EFA120D-SOT89数据手册规格书PDF详情

[Excelics]

Features

• LOW COST SURFACE-MOUNT PLASTIC PACKAGE

• +28.0dBm TYPICAL OUTPUT POWER

• 14.0dB TYPICAL POWER GAIN AT 2GHz

• 0.7dB TYPICAL NOISE FIGURE AT 2GHz

• +42dBm TYPICAL OUTPUT 3rd ORDER INTERCEPT POINT AT 2GHz

• 0.5 X 2400 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE

• Si3N4 PASSIVATION

• ADVANCED EPITAXIAL DOPING PROFILE PROVIDES HIGH POWER EFFICIENCY, LINEARITY AND RELIABILITY

Applications

• Analog and Digital Wireless System

• HPA

EFA120D-SOT89产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    EFA120D-SOT89

  • 功能描述

    Low Distortion GaAs Power FET

更新时间:2025-12-2 16:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
S0T89
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
EAGLEWARE
22+
S0T89
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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