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EFA080A中文资料
EFA080A数据手册规格书PDF详情
[Excelics]
Low Distortion GaAs Power FET
• +26.0dBm TYPICAL OUTPUT POWER
• 10.0dB TYPICAL POWER GAIN AT 12GHz
• 0.3 X 800 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE
• Si3N4 PASSIVATION
• ADVANCED EPITAXIAL DOPING PROFILE PROVIDES HIGH POWER EFFICIENCY, LINEARITY AND RELIABILITY
• Idss SORTED IN 15mA PER BIN RANGE
EFA080A产品属性
- 类型
描述
- 型号
EFA080A
- 功能描述
Low Distortion GaAs Power FET
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Datasheet数据表PDF页码索引
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