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NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION: The ASI VHB10-12S is Designed for 12.5 V, High Band Application. FEATURES: • Common Emitter • PG = 10 dB at 10 W/175 MHz • Omnigold™ Metalization System

ASI

PULSE TRANSFORMERS FOR DATA NETWORKING

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DATATRONICS

更新时间:2026-3-13 22:50:01
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