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TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS??

○ Power Management Switch Applications • 1.5 V drive • Low ON-resistance: RDS(ON) = 240 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 168 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 123 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-30 23:01:01
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