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ERG2SJ200E

金属(氧化物)覆膜固定电阻器

PANASONIC

松下

丝印代码:J200;P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION)

High Power Amplifier Application • High breakdown voltage : VDSS = −180 V • High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.) • Complementary to 2SK1529

TOSHIBA

东芝

丝印代码:J200;TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

High Power Amplifier Application • High breakdown voltage : VDSS = −180 V • High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.) • Complementary to 2SK1529

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

High Power Amplifier Application • High breakdown voltage : VDSS = −180 V • High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.0 S (typ.) • Complementary to 2SK1529

TOSHIBA

东芝

丝印代码:J200;High Power Amplifier Application

文件:426.58 Kbytes Page:5 Pages

TOSHIBA

东芝

ERG2SJ200E产品属性

  • 类型

    描述

  • 额定功率 (W):

    2

  • 片式尺寸(长 x 宽) (mm):

    无规定

  • 电阻值 (Ω):

    20

  • 电阻值容差 (%):

    5

  • 包装形状:

    Radial Taping (Ammo box)

  • 电阻温度系数 (×10⁻⁶/°C):

    ±350

更新时间:2026-5-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PANJIT
2026+
TO220
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
ERG/ITW
2450+
DIP5
6540
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PANASONIC/松下
2015+ROHS
SMD
379800
自家原装现货优势价格出售长期供应
松下PANASONIC
23+
DIP
6500
专注配单,只做原装进口现货
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24+/25+
1000
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PANASONIC
23+
SMD
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特价百分百公司原装现货,可提供样品图片
PANASONIC
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10000
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ITWERGCOMPONENTS
23+
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
26+
N/A
82000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
2022+
1
全新原装 货期两周

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