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丝印代码:CT;Microprocessor based equipment

Features 100Watts peak pulse power (tp =8/20μs) Bidirectional configurations Solid-state silicon-avalanche technology Low clamping voltage Low leakage current

UMW

友台半导体

300 gate CMOS pld

文件:382.79 Kbytes Page:12 Pages

INTEL

英特尔

更新时间:2026-5-23 17:26:01
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