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NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

SAMSUNG

三星

NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Complementary PNP Type Available (MMBT4126) ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching

TRSYS

Transys Electronics

Amplifier Transistors

Amplifier Transistor NPN Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

24 mm Discrete HFET

24 mm Discrete HFET • 0.5 um gate finger length • Nominal Pout of 12 Watts at 2.3 GHz • Nominal PAE of 51.5 at 2.3 GHz • Nominal Gain of 10.8 dB at 2.3 GHz • Die size 36.0 x 81.0 x 4.0 mils (0.914 x 2.057 x 0.102 mm)

TRIQUINT

Amplifier Transistor(NPN Silicon)

文件:57.14 Kbytes Page:4 Pages

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2026-5-22 19:17:01
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