| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
EMB35N04J | N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 40V RDSON (MAX.) 35mΩ ID 5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free | EXCELLIANCE 杰力科技 |   | |
EMB35N04J | Power MOSFETs-N Channel | EXCELLIANCE 杰力科技 | | |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP35N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 10 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1900 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Designed for automotive appli | RENESAS 瑞萨 | | ||
NPN Darlington Power Transistor 文件：46.91 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
NPN Darlington Power Transistor 文件：96.82 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
NPN Darlington Power Transistor 文件：128.4 Kbytes Page：4 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
丝印代码：Q35N04；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：569.03 Kbytes Page：6 Pages | YANGJIE 扬杰电子 | |
EMB35N04J产品属性
- 类型
描述
- Channel：
Single N
- BVDSS(V)：
40
- VGS(±V)：
20
- ID(A)：
5
- RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
35
- RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
- RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
50
- RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
- Qg(10V)Typ.(nC)：
13.7
- CissTyp.(pF)：
527
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EMC杰力 |
24+ |
SOT-23 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
EMC杰力 |
2026+ |
SOT-23 |
3000 |
原装正品 假一罚十! |
|||
Displaytech |
24+ |
SMD |
17900 |
显示开发工具 |
|||
ELPIDA |
2450+ |
BGA |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
EMC |
22+ |
SOT-23 |
20000 |
只做原装 |
|||
EMC/杰力 |
25+ |
QFN |
20000 |
本公司 只做全新原装正品 |
|||
EMC杰力 |
25+ |
SOT-23 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
EMC |
19+ |
DFN5*6-8 |
3359 |
全新 发货1-2天 |
|||
EMC/杰力 |
24+ |
DFN |
22500 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
EMC |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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EMB35N04J规格书下载地址
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2020-4-6EMIF08-1005M16公司原装现货/长期供应
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2019-4-10
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