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EMB35N04J

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 40V RDSON (MAX.) 35mΩ ID 5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB35N04J

Power MOSFETs-N Channel

EXCELLIANCE

杰力科技

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description The NP35N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 10 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 17.5 A) • Low Ciss: Ciss = 1900 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) • Designed for automotive appli

RENESAS

瑞萨

NPN Darlington Power Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

NPN Darlington Power Transistor

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NPN Darlington Power Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

丝印代码:Q35N04;N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:569.03 Kbytes Page:6 Pages

YANGJIE

扬杰电子

EMB35N04J产品属性

  • 类型

    描述

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    40

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    5

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    35

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    50

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    13.7

  • CissTyp.(pF):

    527

更新时间:2026-5-23 11:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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